STU8NM50N

当您需要一款能够在高压环境下稳定运行、同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您是否曾为选型而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的出色答案STU8NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其500V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，为众多中高功率应用场景提供了坚实的核心动力。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统效率、确保长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或是工业控制系统中，STU8NM50N正以其卓越的表现默默工作。它采用先进的MDmesh II技术，这意味着更低的导通电阻（Rds(on)）和更优的开关特性。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为790毫欧，配合极低的栅极电荷（Qg），共同实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。这直接转化为您的终端产品更低的发热、更高的能源转换效率，以及更长的使用寿命。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求严苛的功率因数校正（PFC）电路，它都能游刃有余，让您的设计从激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STU8NM50N，就是选择了一份源自ST意法半导体的品质承诺。其坚固的I-PAK通孔封装，确保了出色的机械强度和散热能力，最高结温可达150°C，让您的设备无惧高温环境的挑战。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上可能存在的库存，使其依然是特定升级或延续性项目的可靠选择。为了确保您能获取到正品货源和专业的选型支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购。让这颗凝聚了尖端技术与实用价值的功率器件，为您的下一个创新项目注入强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STU8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU8NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。