STULED623

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭620V高压，同时保持极低导通损耗的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STULED623为您带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升系统可靠性、简化热管理并最终赢得市场的强大引擎。

无论是家用电器中的辅助电源、工业自动化设备的电机驱动，还是LED照明驱动和消费类电子产品的适配器，STULED623都能游刃有余。其高达620V的漏源击穿电压，为您提供了充裕的设计余量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而3A的连续漏极电流能力，结合仅为3.6欧姆的低导通电阻，意味着在导通期间的能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，而不是转化为令人头疼的热量。这直接转化为更低的温升、更小的散热器需求，甚至可能让您省去一个风扇，从而实现系统的小型化和静音化。

选择STULED623，就是选择了一份来自意法半导体（STMicroelectronics）的卓越品质与稳定保障。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，让驱动电路设计变得异常简单，您可以轻松实现快速开关，进一步降低开关损耗，提升整体频率和功率密度。高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，赋予了它无与伦比的坚固性和环境适应性。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品本身，更是从技术支援到稳定供货的全链路支持。让STULED623成为您下一个明星产品的“心脏”，释放高效能量，点亮无限可能。

• 制造商产品型号：STULED623
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 3A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STULED623的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。