STULED625

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受高达620V的电压冲击，同时又要保证快速、精准的开关响应时，选择一款兼具高耐压与低损耗的MOSFET至关重要。现在，STULED625的到来，正是为了破解这一难题。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体为高要求应用场景量身打造的能量控制核心，其卓越的电气特性将直接转化为您产品的市场竞争优势。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器方案中，这颗芯片正扮演着高效“能量阀门”的角色。得益于620V的高漏源电压和5A的连续漏极电流能力，它能够从容应对工业环境中的电压波动和负载变化，确保系统稳定运行。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为1.6欧姆，这意味着在导通状态下的能量损耗被大幅降低，更多的电能被有效利用，而非转化为无谓的热量。这不仅提升了整体能效，也简化了散热设计，让您的产品在体积和温控上更具灵活性。

为何众多工程师在关键项目中信赖STULED625？答案在于它精准平衡了性能与易用性。极低的栅极电荷（仅35nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，这对于高频开关应用而言是提升效率的关键。同时，宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它适应严苛环境的能力，无论是寒冷的户外设备还是高温的机柜内部，都能稳定工作。其通孔IPAK封装不仅提供了坚固的物理结构，也便于在原型设计和批量生产中进行焊接与测试。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将是您项目成功的坚实后盾。选择STULED625，就是选择了一份经得起验证的可靠性与面向未来的高效能，它让复杂的设计变得简单，让卓越的性能成为标准。

• 制造商产品型号：STULED625
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 5A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STULED625的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。