STV200N55F3

当您的设计面临高功率密度与散热效率的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭大电流与低损耗的“能量心脏”？答案或许就藏在STV200N55F3之中。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达200A的连续漏极电流和仅为2.5毫欧的超低导通电阻，重新定义了55V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升系统整体能效、缩小产品体积并增强可靠性的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源车车载充电器（OBC）等严苛的应用场景中，每一次开关都伴随着巨大的能量转换。STV200N55F3凭借其先进的STripFET技术，能够显著降低导通和开关损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非浪费在发热上。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更安静，寿命也得以大幅延长。即使在-55°C至175°C的宽广结温范围内，它依然能稳定工作，从容应对各种极端环境。

选择STV200N55F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与品质保障。其10V驱动电压和优化的栅极电荷特性，让驱动电路设计更为简便，有助于加快您的产品上市速度。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定的库存支持与专业的技术服务，确保现有项目与长期维护的供应链安全。让这颗强大的“能量引擎”为您的下一个创新注入澎湃动力。

• 型号:STV200N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV200N55F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。