STW10N105K5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为高压开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭1050V高压，同时将导通电阻和开关损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STW10N105K5诞生的使命它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh K5系列技术的集大成者，专为挑战高效率、高可靠性的严苛应用而设计。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，系统对高压侧开关器件的需求从未如此迫切。STW10N105K5凭借其1050V的超高耐压和仅1.3欧姆的低导通电阻，能够在这些高压大功率场景中游刃有余。它意味着更低的传导损耗，更少的发热，以及最终为您的终端产品带来的更高能效等级和更长的使用寿命。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗，使得系统可以在更高的频率下稳定工作，从而帮助您实现电源模块的小型化和轻量化。

那么，在众多高压MOSFET中，选择STW10N105K5的深层理由是什么？答案在于其背后强大的MDmesh K5技术平台。这项技术通过创新的单元结构和工艺，在击穿电压、导通电阻和动态性能之间取得了卓越的平衡。您获得的不仅是一个参数优秀的产品，更是一个经过市场验证的可靠性解决方案。其TO-247封装提供了出色的散热能力，支持高达130W的功率耗散，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定运行。对于寻求稳定供应链和顶尖技术支持的工程师而言，通过值得信赖的ST芯片代理获取此产品，意味着您同时获得了原厂级的品质保障与本地化的快速服务响应。选择STW10N105K5，就是为您的下一个旗舰级设计，选择了一个坚实而高效的功率核心。

• 型号:STW10N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10N105K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。