STW10N95K5

在追求极致能效与可靠性的电力转换世界，您是否仍在为高压大功率应用中的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STW10N95K5。这款来自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和8A的连续漏极电流，为您的高压设计筑起坚实的性能堡垒。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些严苛的应用场景中，每一次开关动作都关乎着整体系统的稳定与能耗。STW10N95K5凭借其仅为800毫欧的超低导通电阻（在4A，10V条件下），能显著降低传导损耗，让更多电能高效地输送到负载端，而非转化为无谓的热量。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关切换，进一步削减了开关损耗，让您的系统即使在高温高频下也能游刃有余，轻松应对150°C的结温挑战。

选择STW10N95K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的承诺。它继承了ST SuperMESH5技术的所有精华，在击穿电压、动态性能和可靠性之间取得了完美平衡。TO-247的经典封装提供了卓越的散热能力，确保高达130W的功率能够稳定耗散。这意味着您的产品将拥有更长的使用寿命和更低的现场故障率，从而赢得终端用户的持久信赖。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST授权代理团队随时待命，为您从选型到量产的全过程保驾护航。立即采用STW10N95K5，让它成为您下一代高性能电源和驱动设计的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STW10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。