STW10NK60Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一款能够平衡成本与性能的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH家族的明星产品STW10NK60Z。这款N沟道MOSFET以其卓越的600V耐压和10A的连续电流能力，为您的高压应用注入强劲而稳定的动力。其核心价值在于，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、降低能耗和延长产品寿命的关键所在。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动器中，STW10NK60Z正以其低至750毫欧的导通电阻（Rds(on)）默默工作，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业照明镇流器、家用电器电源，还是不间断电源（UPS）系统，它都能轻松应对，确保能量转换过程顺畅高效。其优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动电路设计更为简单，开关速度更快，从而显著提升系统的开关频率和功率密度，让您的终端产品在市场上更具竞争力。

选择STW10NK60Z，就是选择了一份由尖端技术带来的安心。其坚固的TO-247封装提供了出色的散热能力，配合高达156W的功率耗散，确保芯片即使在严苛的工作环境下也能稳定运行，温度范围覆盖-55°C至150°C。这背后是意法半导体对品质的执着追求。为了确保您能获得原装正品和及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让STW10NK60Z成为您下一个成功项目的强大引擎，以更低的系统总成本，实现更高的性能飞跃。

• 型号:STW10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。