STW10NK80Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STW10NK80Z。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和9A的连续漏极电流，为您的高压应用注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统整体效率、迈向绿色能源未来的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高要求的照明镇流器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的积聚。STW10NK80Z凭借其先进的SuperMESH技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下显著降低，这意味着更低的传导损耗和更少的发热。当电流流过时，更多的能量被有效传递，而非转化为无用的热量，让您的设备运行得更凉爽、更持久。其高达160W的功率耗散能力，配合TO-247-3封装优秀的散热特性，确保了即使在严苛的工作环境下也能游刃有余。

选择STW10NK80Z，就是选择了一份安心与前瞻性。它宽广的-55°C至150°C结温工作范围，使其能够从容应对极端温度挑战，无论是寒冷的户外环境还是高温的机箱内部，性能始终如一。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，大大简化了驱动电路的设计，让开关速度更快，系统响应更迅捷，从而整体提升电源的功率密度和动态性能。当您需要可靠、高效的ST解决方案时，可以随时咨询我们的ST芯片代理，获取专业的技术支持与供应保障。

归根结底，在高压高功率的应用赛道中，细节决定成败。STW10NK80Z正是那个关注每一个细节的专家。它用更低的损耗换取更高的效率，用更强的鲁棒性保障系统的长期稳定，最终帮助您降低总运营成本，缩短产品上市时间，并在市场竞争中赢得关键的技术优势。让STW10NK80Z成为您下一个成功设计的强大引擎，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STW10NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW10NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。