STW11NK90Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对严苛的散热挑战时，您是否在寻找一个能够一锤定音的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族的明星产品STW11NK90Z。这颗900V耐压、9.2A电流能力的N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、效率和功率密度的强大引擎。它专为应对最苛刻的应用而设计，让您的产品在竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，STW11NK90Z正以其卓越的性能默默工作。它高达900V的漏源电压（Vdss）提供了充裕的电压裕量，有效抵御电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，为您的系统筑起一道坚固的安全防线。而TO-247-3封装结合200W的强大功率耗散能力，意味着它能轻松应对高功率场景下的散热需求，确保长时间稳定运行，让您无需为过热降额或失效而担忧。

选择STW11NK90Z，就是选择了一份从容与高效。其SuperMESH技术显著优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，在10V驱动电压下，导通电阻低至980毫欧，同时栅极电荷（Qg）控制在115nC。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，不仅提升了整体能效，减少了热量产生，还允许您使用更小的散热器或简化散热设计，从而有效降低系统总成本和体积。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，更是赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，性能始终如一。

我们理解，卓越的产品需要可靠的渠道支持。为了确保您能便捷、放心地获得正品STW11NK90Z及其完善的技术服务，我们强烈推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购。这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进的基石。现在就为您的下一个高端电源或功率转换项目配备STW11NK90Z，体验意法半导体尖端技术带来的性能飞跃与价值提升，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW11NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 4.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW11NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。