STW120NF10

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？想象一下，一款能在100V电压下稳定承载110A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的10.5毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与可靠性的革命性飞跃。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET II家族的明星产品STW120NF10，它正是为终结这种妥协而生。

当您将它应用于服务器电源或工业电机驱动时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为更少的能量以热量形式耗散，这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久，同时显著降低散热设计的复杂性与成本。在电动汽车的OBC（车载充电机）或DC-DC转换器中，STW120NF10凭借高达312W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，能够轻松应对严苛的车规环境挑战，确保动力系统在任何工况下都稳定高效。而对于不断电系统(UPS)和焊接设备而言，其快速的开关特性和卓越的稳健性，是保障输出纯净、响应迅捷的关键所在。

选择STW120NF10，您选择的不仅是一颗高性能N沟道MOSFET，更是一份来自意法半导体的品质承诺。其经典的TO-247-3封装，兼顾了出色的功率密度与成熟的安装工艺，让您的生产集成轻松无忧。我们深知，一颗优秀芯片的背后，离不开可靠的技术支持与供应链保障。为此，我们推荐您通过专业的ST芯片代理进行采购，他们将为您提供从选型指导到库存保障的全方位服务，让您的创新之旅再无后顾之忧。让STW120NF10成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STW120NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW120NF10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。