STW12N170K5

在追求极致能效与可靠性的高压功率转换领域，您是否还在为开关损耗、系统复杂性和长期稳定性而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的高压利器STW12N170K5。这颗1700V耐压、5A电流能力的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是工程智慧的结晶，它旨在重新定义您对高压开关性能的期待，为您的设计注入前所未有的活力与信心。

想象一下，在太阳能逆变器中，它如何以极低的导通电阻和优异的开关特性，最大化地捕获每一缕阳光的能量；在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，它如何凭借1700V的高压耐受能力和稳健的TO-247封装，确保核心动力部分在严苛环境下依然坚如磐石。无论是通信电源、焊接设备还是电动汽车充电桩的辅助电源，STW12N170K5都能游刃有余，将高压挑战转化为性能优势。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是为您的产品适应全球各种极端气候提供了坚实保障。

选择STW12N170K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越。MDmesh K5超结技术带来了革命性的低比导通电阻（RDS(on)）与低栅极电荷（Qg）的完美平衡，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接提升系统整体效率，同时降低散热需求和EMI干扰。高达250W的功率耗散能力，让它在高功率密度设计中也能稳定输出。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您从选型到量产提供一站式服务。让STW12N170K5成为您下一代高压、高效、高可靠性设计的核心引擎，开启能效新纪元。

• 型号:STW12N170K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12N170K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。