STW12NK80Z

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望找到一款能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？答案就在STW12NK80Z。作为意法半导体SuperMESH家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET以其800V的卓越耐压能力和10.5A的连续漏极电流，为您打开了通往更高能效设计的大门。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高要求的照明系统中，稳定与高效是永恒的主题。STW12NK80Z正是为此而生。其极低的导通电阻（典型值远低于750毫欧）意味着更小的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。在严苛的-55°C至150°C结温范围内，它都能稳定工作，确保您的设备在极端环境下依然坚如磐石，大幅延长产品寿命并减少维护需求。

选择STW12NK80Z，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的SuperMESH技术确保了其在高压应用中的出色开关性能和坚固性。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，有助于减少开关损耗，提升整体频率响应。无论是追求功率密度的提升，还是系统可靠性的强化，这颗芯片都能提供令人信服的价值。如需获取官方正品与专业技术支持，我们推荐您通过授权的ST代理进行采购，为您的项目成功增添一份保障。

从概念到量产，STW12NK80Z始终是工程师值得信赖的伙伴。它采用经典的TO-247-3通孔封装，兼顾了优异的散热能力和便捷的装配工艺。将这颗高性能MOSFET融入您的下一个设计，您收获的将不仅是参数的提升，更是整个系统在能效、可靠性和市场竞争力上的全面飞跃。立即行动，让STW12NK80Z为您的创新注入强劲动力！

• 型号:STW12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。