STW13N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高压应用中的开关损耗和热管理难题而困扰？现在，让我们向您介绍一个划时代的解决方案STW13N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其800V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高压设计注入澎湃而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、实现产品差异化的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩中，每一次开关动作都关乎着系统的稳定与能耗。STW13N80K5正是为此类严苛场景而生。它采用了先进的SuperMESH5技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下优化至仅450毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当您的设备在-55°C至150°C的宽广结温范围内持续运行时，这颗芯片能始终保持冷静与高效，确保系统长期稳定，无惧环境挑战。

选择STW13N80K5，就是选择了一份从容与信心。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），显著降低了开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的开关频率，从而可以使用更小、更轻的磁性元件，有效缩小产品体积并降低成本。高达190W的功率耗散能力，配合经典的TO-247封装，提供了出色的散热性能和机械可靠性。无论是升级现有方案还是开发新一代产品，它都能让您的设计脱颖而出。如需获取正品保障与专业的技术支持，我们推荐您通过官方ST授权代理进行采购，为您的项目成功增添一份可靠保障。

• 型号:STW13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。