STW13NK100Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流场景下的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STW13NK100Z。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的SuperMESH技术，将1000V的耐压能力与仅700毫欧的超低导通电阻完美结合，为您的高压应用注入前所未有的活力与效率。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器的核心电路中，STW13NK100Z正以其13A的连续电流处理能力和高达350W的功率耗散，从容应对严苛的工况。它的存在，意味着更低的传导损耗、更少的发热量，以及由此带来的系统整体能效的显著提升和散热设计的简化。无论是面对频繁开关的PWM控制，还是需要稳定通过大电流的功率路径，它都能确保能量以最顺畅、最经济的方式流动，让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出。

选择STW13NK100Z，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定如初。TO-247-3的经典封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容广泛的生产与安装工艺。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是原装正品的品质保证，更是完整的技术支持与供应链安全。它不仅仅是一个组件，更是您构建高效、耐用、领先的电力电子系统的坚实基石，助您轻松驾驭高压世界的挑战，将创意转化为市场竞争力。

• 型号:STW13NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。