STW13NK60Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STW13NK60Z。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，不仅仅是又一个600V/13A的选项，它是基于先进的SuperMESH技术精心打造的效能标杆，专为解决高要求应用中的核心痛点而生。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器系统中，STW13NK60Z能够轻松驾驭高达600V的电压和13A的连续电流。其卓越之处在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下仅为550毫欧，这意味着更少的导通损耗，更低的发热量，从而直接将系统的整体效率提升到一个新的高度。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了更快的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统运行起来更迅捷、更凉爽。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的电机，还是服务器电源中追求极致转换效率的PFC电路，这颗芯片都能提供稳定而强劲的动力核心。

选择STW13NK60Z，就是选择了一份从容与安心。其坚固的TO-247封装能够有效散热，支持高达150W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和长期可靠性。您无需再为高温下的性能衰减或严苛环境下的稳定性而担忧。它简化了您的热设计挑战，让您能够将更多精力专注于系统创新和功能优化。如果您正在寻找一个值得信赖的ST芯片代理合作伙伴来获取这款高性能器件及其完整的技术支持，那么您已经找到了通往成功设计的关键钥匙。让STW13NK60Z成为您下一代高能效、高可靠性产品的强大心脏，共同开启能效新时代。

• 型号:STW13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。