STW13NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh II系列中的经典力量STW13NM50N。这颗500V/12A的N沟道MOSFET，凭借其卓越的MDmesh II技术，将导通电阻降至仅320毫欧，这意味着更低的传导损耗和更清凉的运行温度，直接为您的系统注入持久高效的动能。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)乃至高要求的照明镇流器中，稳定与效率是生命线。STW13NM50N正是为此类严苛应用而生。其500V的高压阻断能力和优化的动态特性，确保在频繁开关和高压瞬态下依然稳健如山。无论是驱动一台精密的自动化设备，还是保障数据中心电源的毫秒级不间断，它都能以出色的开关性能和100W的强大散热能力，承载起关键节点的能量转换重任，让系统的整体可靠性提升一个维度。

选择STW13NM50N，不仅是选择了一个元器件，更是选择了一套经过市场验证的高价值解决方案。其TO-247-3封装提供了优异的散热路径和机械强度，便于安装和热管理。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在存量市场和高可靠性设计中依然极具吸引力。对于寻求稳定供应与技术支持的设计者，通过官方授权的ST代理渠道，依然可以获取可靠的货源与专业的技术服务，确保您的项目传承经典性能，无后顾之忧。让这颗凝聚了意法半导体尖端工艺的功率器件，成为您提升产品竞争力、赢得市场信赖的坚实基石。

• 型号:STW13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。