STW14NK60Z

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关？STW14NK60Z正是为此而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为那些对性能有严苛要求的应用场景注入强劲动力。想象一下，在高达600V的电压平台上，它依然能保持出色的导通控制，将导通电阻压降至极低水平，这意味着更少的热量产生和更高的能量转换效率，直接为您的系统稳定性和能效表现加分。

这颗芯片的身影，广泛活跃于开关电源(SMPS)、工业电机驱动、不间断电源(UPS)以及高性能照明镇流器等关键领域。无论是驱动一台精密的工业设备，还是保障数据中心电源的持续稳定，STW14NK60Z都能以其13.5A的连续电流处理能力和卓越的开关特性，确保功率转换环节流畅、可靠。其TO-247-3的经典封装，提供了强大的散热能力和机械坚固性，非常适合高功率密度和需要长期稳定运行的环境，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的可靠性脱颖而出。

选择STW14NK60Z，就是选择了一份经过验证的品质保障。它源自业界巨头ST意法半导体，其SuperMESH技术已历经市场多年锤炼，在降低栅极电荷和开关损耗方面表现卓著。这意味着您的设计不仅能轻松应对高压挑战，还能简化驱动电路设计，提升整体系统的响应速度。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取可靠的库存或获得完美的替代方案建议，确保您的供应链安全与项目延续性。对于追求卓越性能、重视长期稳定供货的工程师和采购决策者而言，这颗芯片所代表的不仅仅是参数，更是一种降低系统总成本、提升产品竞争力的智慧之选。

• 型号:STW14NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW14NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。