STW14NM50

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当面对550V高压、14A大电流的应用场景时，选择一款兼具低损耗与强健性的MOSFET，往往是决定整个系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款历经市场验证的功率解决方案STW14NM50，它正是为突破这些挑战而生。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh技术平台，这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的电气特性，为您带来前所未有的设计自由度。高达550V的漏源击穿电压，让它能在严苛的工业环境中稳如磐石；而仅350毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着在传导过程中能量损耗被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STW14NM50都能轻松驾驭，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

我们理解，优秀的工程师不仅需要强大的芯片，更需要值得信赖的合作伙伴。这正是我们作为专业的ST代理所秉持的理念。选择STW14NM50，您选择的不仅仅是一个组件，更是一套经过全球众多顶尖项目验证的成熟解决方案。其TO-247-3封装提供了优异的散热能力，结合高达175W的功率耗散上限，确保了系统在长时间满载运行下的稳定性。更低的栅极电荷（仅38nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源设计能够轻松迈向更高频率，从而缩小磁性元件体积，降低整体成本。当市场同类产品还在性能与可靠性间权衡时，STW14NM50已经为您实现了鱼与熊掌的兼得。

面对日益复杂的电磁环境和能效法规，一颗芯片的稳健与否，直接关系到终端产品的口碑与生命周期。STW14NM50凭借其坚固的设计和宽泛的工作温度范围（结温高达150°C），为您构筑起可靠的质量防线。它代表的是一种对卓越性能的不懈追求，一种让设计更简单、让产品更强大的承诺。当您下一次为高性能、高可靠性功率转换方案选型时，让STW14NM50成为您最有力的武器，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STW14NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW14NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。