STW14NM50FD

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题所困扰？现在，一颗集卓越性能与高可靠性于一身的解决方案已经到来STW14NM50FD。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其FDmesh技术的深厚底蕴，为您带来前所未有的效率提升和设计简化。它不仅是一个组件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的关键动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明和电焊机等严苛的应用场景中，稳定与高效是永恒的追求。STW14NM50FD正是为此而生。其500V的高耐压和14A的连续电流能力，为系统构筑了坚固的防线，轻松应对电压尖峰和浪涌电流的挑战。在高温环境下，它依然能保持出色的导通特性，确保您的设备从-65°C到150°C的宽广温度范围内稳定运行，无论是严寒的户外设备还是高温的机柜内部，都能游刃有余。

选择STW14NM50FD，意味着您选择了一种经过市场验证的卓越价值。其低至400毫欧的导通电阻，直接转化为更低的传导损耗和更少的发热量，让您的系统运行更凉爽，能效比显著提升。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速、干净的开关动作，有效降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的产品设计更容易通过严格的能效和安规认证。对于寻求稳定供货和技术支持的客户，通过值得信赖的ST一级代理进行采购，是获得正品保障和全方位服务的明智之选。这颗采用经典TO-247-3封装的功率器件，以其高达160W的耗散功率能力，为您的散热设计提供了充裕的余量，让高功率密度设计不再是难题。

• 型号:STW14NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW14NM50FD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。