STW15N95K5

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住950V高压冲击，又能保持高效低损耗的"心脏"而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族的明星产品STW15N95K5，这颗N沟道功率MOSFET正是为征服极端电气环境而生。它不仅仅是一个元件，更是您系统可靠性、能效与功率密度的强大保障。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或大功率充电桩的核心电路中，STW15N95K5正以其950V的超高漏源电压耐受能力，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，为您的设备筑起一道坚固的安全防线。同时，其低至500毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在承载高达12A连续电流时，导通损耗被大幅削减，电能得以更高效地传递，直接转化为更低的温升、更高的系统效率以及更长的使用寿命。无论是追求极致能效的绿色能源方案，还是要求7x24小时不间断运行的工业设备，它都能完美胜任。

选择STW15N95K5，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其采用的先进SuperMESH5技术，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了精妙平衡，40nC的低栅极电荷让开关控制更为迅速精准，助力您的电源设计轻松满足日益严苛的能效标准。经典的TO-247封装提供了卓越的散热能力，确保170W的强大功率耗散潜力得以充分发挥，即使在-55°C至150°C的广阔结温范围内也能稳定工作。为了让您更便捷地获得这颗性能利器，我们作为专业的ST一级代理，不仅保障原装正品与稳定供应，更能提供深度的技术支持和选型指导。立即将STW15N95K5纳入您的设计，让它成为您下一代高性能电源系统中，最值得信赖的能量掌控者。

• 型号:STW15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW15N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。