STW15NK50Z

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否渴望找到一款能在高压环境下稳定输出、同时保持卓越能效表现的功率器件？今天，我们为您带来一个激动人心的答案来自ST意法半导体SuperMESH家族的明星产品：STW15NK50Z。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您突破设计极限、打造下一代高效能电源系统的强大引擎。

想象一下，在500V的高压平台上，它能够持续承载高达14A的电流，同时将导通电阻控制在极低的水平。这意味着在开关电源、电机驱动、工业照明或是不间断电源（UPS）等关键应用中，STW15NK50Z能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而不是以热量的形式白白浪费。其优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，这不仅提升了系统整体频率响应，更能有效减少电磁干扰（EMI），让您的产品轻松满足严苛的能效与安规标准。从-50°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性与可靠性，无论是严寒还是酷热，都能稳定如一。

选择STW15NK50Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期稳定供货的承诺。尽管它已不适用于全新设计，但其成熟可靠的特性使其成为众多升级换代或长期生产项目的理想之选。其经典的TO-247-3封装提供了优异的散热能力，结合高达160W的功率耗散能力，让热管理设计变得更加从容。当您需要为现有产品线注入新的活力，或是寻找一个久经考验的高压开关解决方案时，这颗芯片的价值将立刻凸显。我们作为值得信赖的ST芯片代理，不仅能为您提供这颗性能强劲的芯片，更能为您带来全面的技术支持和供应链保障，助您将创意快速、稳妥地转化为市场领先的产品。

• 型号:STW15NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW15NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。