STW17N62K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受高达620V的电压冲击，同时还要保证快速、低损耗的开关动作时，选择一颗怎样的功率器件，往往决定了整个方案的成败。现在，答案变得前所未有的清晰STW17N62K3，这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，正是为突破这些极限而生。它不仅仅是一个组件，更是您构建高效、坚固电源系统的信心基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率LED照明和电焊机等严苛的应用场景中，STW17N62K3能够大显身手。它高达15.5A的连续漏极电流承载能力和190W的强大功率耗散能力，意味着它能轻松应对高功率密度设计带来的热挑战，确保系统在长时间满负荷运行下的稳定性。其卓越的620V漏源电压额定值，为您提供了充足的安全裕量，有效抵御电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，让您的产品从容面对复杂多变的真实工作环境。

为何众多工程师在面临关键选型时，会倾向于这颗芯片？核心在于其内在的“超级”基因。SuperMESH3技术带来了革命性的低导通电阻在10V驱动电压下仅380毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率，电能更多地被用于驱动负载，而非白白转化为热量。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，这对于提升高频开关电源的效率和功率密度至关重要。选择STW17N62K3，就是选择了一种经过市场验证的可靠技术路径，它能帮助您简化热设计，提升功率等级，并最终打造出在能效和可靠性上都更具竞争力的产品。如需获取官方技术支持和现货供应，您可以随时联系专业的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。

• 型号:STW17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW17N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。