STW18N65M5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统稳定性而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您介绍意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STW18N65M5。这款650V、15A的N沟道功率MOSFET，凭借其革命性的超结技术，将高耐压与低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的性能飞跃。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高性能充电桩的核心电路中，STW18N65M5正以其卓越的表现稳定运行。其高达650V的漏源电压，轻松应对严苛的电网波动和感性负载开关产生的电压尖峰，为系统构筑起坚固的安全防线。而低至220毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在传导过程中能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是追求80Plus钛金认证的电源，还是需要长时间满载工作的工业设备，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择STW18N65M5，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更快、更干净，显著降低了驱动损耗和开关噪声，让您的EMI设计更加轻松。TO-247经典封装提供了出色的散热路径，结合高达110W的功率耗散能力，确保芯片在150°C结温下依然稳健。当您需要可靠的原厂品质和稳定的供货保障时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能为您提供从选型支持到供应链服务的全方位价值。让STW18N65M5成为您下一个成功设计的基石，释放系统的全部潜能，赢得市场先机。

• 型号:STW18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。