STW18NK60Z

当您的电源设计需要在600V高压下稳定运行，同时还要兼顾效率和可靠性时，您是否曾为寻找那颗性能与成本完美平衡的“心脏”而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍STW18NK60Z，这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛的工业级挑战而生。它不仅仅是一个开关，更是您系统高效、稳定运行的基石，其卓越的性能参数背后，是意法半导体深厚的技术积淀和对市场需求的精准洞察。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至电焊机等核心应用中，每一次开关动作都关乎整个系统的命脉。STW18NK60Z凭借其600V的漏源电压和高达16A的连续漏极电流，为这些高功率场景提供了坚实的保障。其TO-247-3的经典封装，不仅确保了出色的散热能力，功率耗散高达230W，更能轻松应对长时间、高负荷的运行考验，让您的设备在-55°C到150°C的宽广温度范围内都保持“冷静”与高效。这意味着，无论是严寒还是酷暑，您的产品性能始终如一，可靠性无可挑剔。

选择STW18NK60Z，就是选择了一份安心与超越。其SuperMESH技术显著优化了导通电阻与栅极电荷的权衡，在10V驱动电压下，导通电阻低至360毫欧，同时栅极电荷也得到良好控制。这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，让您的系统整体效率跃升一个台阶，能耗显著降低。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和稳定的性能，使其成为许多经典和长生命周期项目的理想选择。对于库存和后续支持，您可以完全信赖专业的ST中国代理，他们能为您提供可靠的供应链解决方案和技术支持，确保您的项目顺利推进。让STW18NK60Z成为您强大产品背后的隐形冠军，驱动无限可能。

• 型号:STW18NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。