STW18NM60ND

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的功率器件解决方案STW18NM60ND。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其600V的耐压和13A的连续电流能力，为您的高压应用注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关，更是提升整机效率、确保长期可靠运行的关键基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明镇流器中，系统需要在高压下进行快速且高效的开关动作。STW18NM60ND正是为此类场景而生。其采用的先进FDmesh II技术，显著优化了单元结构，使得在10V驱动电压下，导通电阻低至290毫欧。这意味着更低的传导损耗，电能可以更顺畅地通过，转化为您需要的动力或光能，而非无谓的热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了极快的开关速度，进一步削减了开关损耗，让您的系统在高效区间运行得更久、更稳定。

选择STW18NM60ND，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术积淀与品质承诺。TO-247的经典封装提供了卓越的散热能力，配合高达110W的功率耗散上限，即使面对严苛的工况也能从容应对。其宽泛的工作温度范围（结温高达150°C）赋予了设计者更大的余量和信心。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和可靠性在诸多成熟设计中得到了完美印证。对于寻求稳定供应与技术支持的设计项目，通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取可靠的货源与专业的技术服务，确保您的产品生命周期平稳延续。让STW18NM60ND成为您经典设计中那颗值得信赖的“心脏”，持续为终端用户创造价值。

• 型号:STW18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。