STW19NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在高功率应用中寻求更可靠的开关解决方案时，是否曾思考过，一颗性能卓越的功率MOSFET能带来多大的改变？今天，我们为您带来一个经过市场验证的强力选择STW19NM50N。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效能转换的得力助手。源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II系列，这颗芯片承载着先进的技术基因，旨在为工程师解决最棘手的功率损耗与散热难题。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动等关键应用中，稳定与效率是生命线。STW19NM50N凭借其500V的高压耐受能力和14A的连续电流承载，为这些场景注入了强大的心脏。其卓越的开关特性意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，同时为用户节省可观的能源成本，这种价值传递正是产品赢得市场的关键。

选择STW19NM50N，就是选择了一份经过时间考验的可靠性。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在众多成熟且要求严苛的应用中拥有辉煌的历史和出色的口碑。其TO-247-3封装提供了优异的散热路径，结合高达110W的功率耗散能力，让您在紧凑空间内也能从容应对高功率挑战。当您需要为现有产品线寻找稳定可靠的升级或替代方案时，这颗芯片无疑是经过验证的优选。通过值得信赖的ST代理渠道获取，您不仅能确保原装正品的品质，还能获得专业的技术支持，让您的设计之路更加顺畅。让STW19NM50N成为您功率设计中的基石，共同创造更高效、更可靠的未来。

• 型号:STW19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW19NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。