STW19NM60N

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高电压应用中的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STW19NM60N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和13A的强劲电流承载，正重新定义高效功率转换的标准。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的制胜利器。

想象一下，在电动汽车的车载充电器（OBC）中，能量需要被快速、平稳且高效地转换；在工业电机驱动和服务器电源里，系统的稳定运行关乎着整个生产线的命脉；甚至在您日常使用的太阳能逆变器中，每一份光能都值得被最大限度地捕获和利用。STW19NM60N正是为这些严苛场景而生。它采用了先进的MDmesh II技术，这项ST的独门秘籍通过在芯片内部优化电荷平衡，显著降低了导通电阻（Rds(on)），同时保持了极低的栅极电荷（Qg）。这意味着，在每一次开关动作中，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统整体效率得以跃升，让您的设备运行得更冷静、更持久。

选择STW19NM60N，就是选择了一份安心的保障。它隶属于ST的汽车级（Automotive, AEC-Q101）产品系列，历经了远超工业标准的严格测试与认证，能够从容应对-55°C至150°C的极端温度挑战，确保在振动、高温、高湿等恶劣环境下依然稳定如初。其经典的TO-247封装不仅提供了优异的散热性能，高达110W的功率耗散能力也让散热设计更加游刃有余。无论是追求性能巅峰的研发工程师，还是注重供应链稳定与长期可靠性的采购专家，这颗芯片都能完美满足您的期待。为了让您更便捷地获得这款优质产品，我们推荐您通过值得信赖的ST一级代理进行采购，确保原装正品与及时的技术支持。现在就拥抱STW19NM60N，它将为您的下一个电源或电机驱动项目注入强大的芯动力，助您轻松构建更高效、更可靠、更具竞争力的解决方案。

• 型号:STW19NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW19NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。