STW20N90K5

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“硬核心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STW20N90K5。这颗900V耐压、20A电流能力的N沟道功率MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是对高效能电源解决方案的一次重新定义。它采用了先进的超结技术，将导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）的平衡做到了极致，这意味着在您的高压开关电源、电机驱动或PFC电路中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让能量转换过程前所未有的顺畅高效。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些严苛的应用场景中，稳定与可靠是生命线。STW20N90K5凭借其高达900V的漏源击穿电压，为您提供了充裕的电压裕量，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。其TO-247封装不仅确保了出色的散热性能，支持高达250W的功率耗散，更能让您的设计在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定运行。无论是追求功率密度的紧凑型设计，还是注重长期可靠性的工业级应用，它都能成为您电路中值得信赖的基石。

选择STW20N90K5，就是选择了一份从容与优势。它极低的栅极电荷（仅40nC）意味着驱动更简单、开关速度更快，有助于提升系统整体频率和响应速度。同时，其优化的品质因数（RDS(on)*Qg）直接转化为更低的温升和更高的系统效率，帮助您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。我们作为专业的ST芯片代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更致力于提供完整的技术支持和供应链保障。让STW20N90K5赋能您的下一个创新，将高效的能源转换从蓝图变为现实，共同开启绿色能源的新篇章。

• 型号:STW20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。