STW20NK50Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对严苛的散热挑战时，您是否在寻找一个兼具强大性能和可靠性的解决方案？答案就在STW20NK50Z这颗功率MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、简化热管理设计的得力助手。源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗芯片在500V的高压下依然能提供高达17A的连续电流，而其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下可低至270毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，让您的产品在竞争中脱颖而出。

无论是工业电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS），还是电焊机、光伏逆变器等对功率密度和可靠性要求极高的应用场景，STW20NK50Z都能游刃有余。其TO-247-3封装提供了卓越的散热能力，支持高达190W的功率耗散，结合150°C的最高结温，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。这意味着您的设备可以更紧凑、更耐用，减少因过热导致的故障风险，从而赢得终端用户的信赖。

选择STW20NK50Z，就是选择了一份由尖端技术和卓越品质带来的安心。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更加快速、平滑，有助于降低开关损耗和电磁干扰（EMI），简化您的驱动电路设计。当您需要为关键项目采购这颗高性能芯片时，可以信赖专业的ST代理渠道，确保获得原装正品和全面的技术支持。从提升能效到增强可靠性，从简化设计到加速上市，STW20NK50Z是您打造下一代高性能功率系统的明智之选。

• 型号:STW20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。