STW20NM50

当您需要在高功率应用中实现卓越的能效与可靠性时，是否曾为选择一款合适的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的出色答案STW20NM50。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其550V的高耐压和20A的连续电流能力，为工程师们提供了一个性能强劲且值得信赖的基石。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您构建高效、稳定电源系统的得力伙伴，尤其在面对严苛的工业环境时，其价值将得到淋漓尽致的的体现。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或大功率照明镇流器的核心电路中，STW20NM50正默默发挥着关键作用。它凭借其MDmesh技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在传导大电流时，能量损耗被显著降低，系统的整体效率得以提升，发热量也随之减少。更低的损耗直接转化为更长的设备运行时间、更低的运营成本和更小的散热系统需求，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。其坚固的TO-247封装和高达214W的功率耗散能力，确保了即使在高温、高功率的持续工作状态下，也能保持稳定如一的表现。

选择STW20NM50，就是选择了一份源自ST意法半导体的品质承诺与技术创新积淀。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在存量市场、特定项目或对长期可靠性有极高要求的应用中依然极具价值。对于需要获取此经典器件的用户，通过官方授权的ST代理渠道进行咨询和采购，是确保获得正品原装芯片、获得可靠技术支持和供应链保障的最优途径。让这颗久经考验的功率芯片，成为您经典设计中那个最令人放心的核心，助力您的产品在性能与可靠性的道路上稳步前行。

• 型号:STW20NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。