STW20NM50FD

当您的下一个电源设计项目需要兼顾效率与可靠性时，您是否在寻找一颗能承受高压、通过大电流，同时还能保持低温冷静的功率开关核心？答案或许就藏在STW20NM50FD这颗性能卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、简化散热设计、并最终赢得市场竞争力的关键武器。来自ST意法半导体的FDmesh技术，赋予了它超凡的低导通电阻和极快的开关速度，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，电能被更高效地转化为您需要的动力，而非无谓的热量。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高功率LED照明驱动器中，稳定与高效是生命线。STW20NM50FD凭借其500V的漏源电压和20A的连续电流能力，能够从容应对严苛的工业环境与频繁的负载变化。其TO-247-3封装提供了优异的散热路径，结合高达214W的功率耗散能力，让您的系统即使在满负荷运行时也能保持“冷静”，大幅提升了整体设备的寿命和长期运行稳定性。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STW20NM50FD？其核心价值在于ST独有的FDmesh技术平台带来的卓越平衡：在10V驱动电压下，仅250毫欧的超低导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和更高的效率；同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了干净利落的开关特性，减少了开关噪声和损耗，让您的驱动电路设计更轻松。这意味着您可以用更小的散热器、更简洁的电路，实现更高的功率密度和能效等级。为了确保您获得原厂品质与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。立即将STW20NM50FD纳入您的设计，开启高效、可靠且更具成本优势的电源解决方案新篇章。

• 型号:STW20NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM50FD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。