STW20NM60

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在提升功率密度的同时，确保系统在严苛环境下依然稳定如山？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh家族的明星产品STW20NM60，它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建高效、坚固电力系统的基石。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STW20NM60正以其600V的耐压能力和高达20A的连续漏极电流，从容应对各种电压尖峰和负载波动。其核心的MDmesh技术，通过优化的单元结构，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行成本。无论是面对频繁开关的PWM控制，还是需要持续大电流通过的应用场景，它都能游刃有余，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STW20NM60，就是选择了一份安心与远见。其高达192W的功率耗散能力与150°C的结温，赋予了系统强大的过载和高温耐受性，显著提升了产品的长期可靠性，减少了现场故障的风险。经典的TO-247-3封装不仅提供了优异的散热路径，便于与散热器结合，也使其能够轻松融入现有的成熟设计。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。让STW20NM60成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢取市场。

• 型号:STW20NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。