STW21NM60N

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为高电压、大电流应用中的开关损耗和散热问题而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STW21NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和17A的连续电流能力，早已在工业电源、电机驱动、UPS等严苛领域证明了其卓越价值。即便处于停产状态，其出色的性能与可靠性，依然使其成为许多经典设计和备货替换的首选，通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以稳定获取这颗性能标杆。

想象一下，在您的服务器电源或工业变频器中，需要一颗开关迅速、导通损耗低的“心脏”。STW21NM60N正是为此而生。它采用了ST引以为傲的MDmesh技术，这项技术如同在芯片内部构建了高效的高速公路网络，使得电流流通路径更优。其最大仅220毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，电能可以更顺畅地通过，转化为热量的部分被大幅削减。这不仅直接提升了系统的整体效率，更显著降低了散热设计的压力和成本，让您的设备在长时间高负荷运行时依然保持冷静与稳定。

选择STW21NM60N，就是选择了一份经过市场千锤百炼的信任。TO-247-3的经典封装提供了强大的散热能力和机械可靠性，非常适合通孔安装的功率板设计。高达140W的功率耗散能力，结合150°C的最高结温，赋予了它应对瞬时过载和恶劣环境温度的强大韧性。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路的设计更为轻松，可以实现更快的开关速度，进一步减少开关损耗，提升系统频率和功率密度。无论是用于升级现有产线，还是为经典产品进行生命周期维护，这颗芯片都能以卓越的电气性能和坚固的物理特性，保障您系统的长期稳定运行。

在能效标准日益严苛的今天，一颗优秀的功率器件往往是产品脱颖而出的关键。STW21NM60N所代表的，不仅是ST意法半导体在高压MOSFET领域深厚的技术积淀，更是一种对高性能与高可靠性不懈追求的工程哲学。它可能不是最新型号，但它所承载的稳定性和经过验证的性能表现，对于许多追求长期可靠性和成本效益的项目而言，是无价的财富。让这颗久经沙场的“功率悍将”，为您的下一个成功项目注入强大而可靠的动力核心。

• 型号:STW21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW21NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。