STW21NM60ND

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题所困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STW21NM60ND。这颗来自ST意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压和17A的连续电流能力，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、实现设计精简化的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或不断电系统(UPS)的核心电路中，STW21NM60ND正发挥着关键作用。其极低的220毫欧导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，电能可以更顺畅地通过，将不必要的热损耗降至最低。配合仅60nC的低栅极电荷，它能够实现快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还显著降低了电磁干扰(EMI)，让您的产品更容易通过严苛的认证标准。高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它出色的热稳健性，即使在恶劣环境下也能稳定运行，大大延长了设备的使用寿命。

选择STW21NM60ND，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它采用成熟的TO-247-3封装，兼顾了优异的散热性能和坚固的机械特性，方便您在设计中集成。无论是用于提升现有方案的效率，还是开发下一代高性能电源和驱动产品，它都能提供您所需的性能余量和可靠性。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能确保芯片的原装正品和稳定供应，还能获得专业的技术支持和供应链服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即将STW21NM60ND纳入您的设计，亲身体验FDmesh II技术如何为您的产品注入高效、可靠的澎湃动力。

• 型号:STW21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW21NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。