STW22N95K5

当您的工业电源或电动汽车充电桩需要承受极端电压波动时，您是否曾为功率器件的可靠性与效率而担忧？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STW22N95K5，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您系统稳定与高效运行的基石，其950V的超高漏源电压和17.5A的连续电流能力，意味着它能从容应对工业环境中的浪涌冲击，为您的设计提供坚实的保护屏障。

想象一下，在服务器电源、太阳能逆变器或大功率工业电机驱动的核心电路中，STW22N95K5正以其卓越的性能默默工作。它采用先进的SuperMESH5技术，将导通电阻（RdsOn）降至惊人的330毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。在追求能源效率的今天，每一瓦特的节省都意义非凡。这颗芯片能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的设备无论是在严寒还是酷热的环境中，都能保持一贯的强劲动力与可靠性。

选择STW22N95K5，就是选择了一份安心与远见。它符合汽车级AEC-Q101标准，这不仅是品质的象征，更是其耐久性和一致性的有力证明。其TO-247封装提供了出色的散热能力，结合高达250W的功率耗散，让您的散热设计更加游刃有余。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升整体系统的频率响应和效率。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗强大的芯片，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供全面的技术支持与供应链保障，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STW22N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW22N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。