STW23N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，一个划时代的解决方案已经到来STW23N80K5。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh K5系列技术的集大成者，旨在彻底革新您的功率转换体验。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心位置，一颗芯片正以高达800V的耐压和16A的连续电流承载能力，稳定而高效地工作，将能量损耗降至前所未有的低点，让整个系统的可靠性跃升到一个全新台阶。

这颗芯片的强大，源于其深入骨髓的优化设计。它专为苛刻的高压开关应用而生，无论是面对工业变频器里频繁的PWM调制，还是太阳能逆变器中需要应对的复杂电网环境，STW23N80K5都能游刃有余。其280毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，电流流过时产生的热量大幅减少，直接提升了系统整体效率，并显著降低了散热设计的难度和成本。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速且干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，更能有效抑制电磁干扰（EMI），让您的产品轻松满足严苛的能效与安规标准。

选择STW23N80K5，就是选择了一份面向未来的保障。它继承了意法半导体在功率半导体领域数十年的深厚积淀，MDmesh K5技术平台在开关性能与导通损耗之间取得了卓越的平衡。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性；坚固的TO-247封装则确保了出色的功率耗散能力（高达190W）。当您通过值得信赖的ST代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个顶级性能的组件，更是一整套能够加速您产品上市、提升市场竞争力的解决方案。让它成为您下一代高性能电源与电机驱动设计的核心动力，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STW23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。