STW23N85K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为开关损耗、热管理和系统稳定性而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STW23N85K5，这颗源自意法半导体尖端SuperMESH5技术的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。其高达850V的漏源电压和19A的连续漏极电流能力，为应对严苛的高压环境提供了坚实的保障，而极低的导通电阻（Rds(on)）则意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，STW23N85K5正以其卓越的性能默默工作。它能够轻松驾驭频繁的开关动作，将电能高效、精准地转换与传递。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了驱动损耗，让您的控制电路设计更简洁，开关速度更快，系统响应更迅捷。在高温环境下，它依然能保持稳定的性能，最高结温达150°C，配合TO-247封装出色的散热能力，确保您的设备即使在满负荷运行时也从容不迫。

选择STW23N85K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与性能保障。它代表了高电压、高电流应用下的最优解之一，能帮助您大幅减少散热设计压力，缩小系统体积，并最终降低整体成本。无论您是设计新一代高效电源，还是升级现有功率架构，这颗芯片都是值得信赖的基石。若您正在寻找可靠的原厂技术与供货支持，我们的合作伙伴，专业的ST芯片代理，将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STW23N85K5成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STW23N85K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 19A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:275 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23N85K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。