STW23NM50N

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对散热和空间的双重挑战时，您是否在寻找一个值得信赖的解决方案？今天，我们为您带来一个在工业电源、电机驱动和UPS系统中久经考验的明星STW23NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其500V的耐压和17A的连续电流能力，正是为应对严苛应用而生的强大心脏。

想象一下，在您的服务器电源或工业焊接设备中，电流的每一次开关都要求精准而迅速，任何效率的损失都意味着能量的浪费和成本的增加。这正是STW23NM50N大显身手的舞台。它采用了ST引以为傲的MDmesh II技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻。具体来说，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为190毫欧。更低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，电能得以更高效地转换为有用的输出，而不是白白浪费为热量。这不仅直接提升了您终端产品的能效等级，更能帮助系统在长时间满负荷运行时保持“冷静”，延长整体寿命。

除了高效的功率处理，其快速的开关特性同样不容小觑。较低的栅极电荷（Qg最大值45nC）和输入电容，使得它能够被驱动电路更轻松、更快速地控制，从而减少开关损耗，特别适用于高频开关电源拓扑。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的高频挑战，还是在电机驱动中需要精准的PWM控制，它都能游刃有余，确保系统响应迅捷，运行平稳。其TO-247-3的经典封装，提供了优异的散热路径，结合高达125W的功率耗散能力，让您在紧凑空间内也能实现强大的功率输出，设计自由度大大提升。

选择STW23NM50N，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与长期价值。尽管其零件状态显示为停产，但在许多成熟且要求高可靠性的工业领域，它依然是经过大量验证的优选方案，拥有充足的库存和市场流通量。当您需要为关键项目寻找稳定可靠的功率开关时，联系专业的ST中国代理，他们能为您提供关于此型号库存、替代方案以及技术支持的全面服务。让这颗凝聚了先进技术与可靠工艺的芯片，成为您打造高效、坚固、耐用电力电子产品的坚实基石，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STW23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。