STW24N60DM2

当您需要一款能在高压环境下稳定输出强大功率的功率器件时，您是否曾为效率、散热和可靠性之间的平衡而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体FDmesh II Plus系列中的明星产品STW24N60DM2。这款N沟道功率MOSFET以其卓越的600V耐压和高达18A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入澎湃动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现设计精简化的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或不断电供应系统(UPS)中，STW24N60DM2正以其低至200毫欧的导通电阻(Rds(on))高效工作，将导通损耗降至最低，这意味着更少的能量转化为热量，更高的整体系统效率。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性，让开关过程更为迅速、平滑，显著降低了开关损耗，尤其适合高频开关应用。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致能效的消费类电源，它都能游刃有余，确保您的产品在性能和可靠性上领先一步。

选择STW24N60DM2，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其采用的先进FDmesh II Plus技术，在相同的芯片面积下实现了更优的导通电阻与栅极电荷乘积(FOM)，让您在提升功率密度的同时，无需在散热设计上过度妥协。高达150W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的坚固性和环境适应性。可靠的TO-247封装确保了出色的热性能和机械强度。当您通过值得信赖的ST代理渠道获取这款产品时，您获得的不仅是一颗高性能芯片，更是从设计到量产的全周期支持与信心。让STW24N60DM2成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。