STW24NK55Z

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与大电流的“硬核心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍意法半导体SuperMESH家族的杰出代表STW24NK55Z。这颗N沟道功率MOSFET以其550V的卓越耐压和23A的强劲电流处理能力，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的关键拼图。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率照明镇流器的核心电路中，STW24NK55Z正发挥着中流砥柱的作用。其超低的导通电阻（典型值仅220毫欧）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。在严苛的工业环境中，高达150°C的结温工作能力和TO-247-3封装带来的出色散热特性，确保了设备即使在长时间满载运行下也能保持稳定，大幅延长了产品的使用寿命和可靠性。选择它，就是为您的设备选择了经久耐用的品质承诺。

为何众多工程师在面临关键选型时，会毫不犹豫地青睐STW24NK55Z？理由清晰而有力。它继承了ST意法半导体在功率半导体领域数十年的技术积淀，SuperMESH技术专为优化开关性能和降低导通损耗而生。10V的驱动电压即可实现优异的导通特性，配合优化的栅极电荷，让开关过程更加迅速、平滑，有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)，简化您的驱动电路设计。虽然该型号已进入停产状态，但通过值得信赖的ST芯片代理，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次面向高性能、高可靠性的价值投资。

• 型号:STW24NK55Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4397.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:285W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24NK55Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。