STW24NM65N

在追求极致能效与可靠性的电力转换世界，您是否仍在为系统损耗、散热挑战和复杂的驱动设计而困扰？现在，一个划时代的解决方案已经到来STW24NM65N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，正以其650V的卓越耐压和19A的强大电流能力，重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、简化热管理、实现设计自由的得力伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心电路中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的产生。STW24NM65N凭借其先进的MDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的190毫欧，这意味着更低的导通损耗，更多的电能被高效传输，而非转化为无用的热量。这不仅直接提升了系统的整体效率，更能让您的散热设计变得更加从容，在紧凑的空间内也能保持稳定运行。其高达160W的功率耗散能力，配合TO-247-3封装优秀的散热特性，确保了即使在严苛的工况下也能游刃有余。

选择STW24NM65N，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够适应从寒冷户外到高温机箱内的各种环境挑战。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路的设计更为简单高效，减少了开关损耗，提升了系统在高频下的工作性能。当您需要稳定、高品质的货源和专业的技术支持时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这不仅是产品正品的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。让STW24NM65N成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心动力，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STW24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。