STW25N80K5

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款功率器件，能同时将导通电阻与开关损耗降至新低，让系统效率轻松突破96%大关，那将为您的产品带来怎样的竞争优势？答案，就蕴藏在STW25N80K5这颗闪耀的明星之中。

作为意法半导体SuperMESH5家族的杰出代表，它绝非普通的800V MOSFET。其核心价值在于革命性的低导通电阻在19.5A的电流下，Rds(On)低至惊人的260毫欧，这意味着在相同功率等级下，它能显著减少导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。更令人振奋的是，其极低的栅极电荷（Qg仅40nC）和输入电容，使得开关速度更快，开关损耗大幅降低。这两大优势的结合，如同为您的电源系统装上了一颗强劲而冷静的“心脏”，无论是面对连续的高负载工作，还是频繁的开关动作，都能游刃有余，确保系统长期稳定可靠。

这种卓越的性能，正是为严苛的应用场景而生。当您在设计新一代服务器电源、高性能工业电机驱动、不断电系统（UPS）或太阳能逆变器时，STW25N80K5将成为您最可靠的伙伴。它那800V的高耐压提供了充裕的安全裕度，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰；高达250W的功率耗散能力，结合经典的TO-247封装，让散热设计更加从容。这意味着您的产品不仅能满足全球各地的能效标准，更能以更小的体积、更低的温升和更长的寿命赢得市场青睐。

选择STW25N80K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、加速项目上市的战略性选择。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能为您提供原装正品保障和具有竞争力的价格，更能提供深度的技术支持和丰富的现货资源，确保您的供应链畅通无阻。立即将STW25N80K5纳入您的设计，亲身体验SuperMESH5技术如何化繁为简，将高效的电力转换变为现实，助您在激烈的市场竞争中率先冲线。

• 型号:STW25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。