STW25NM50N

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在500V高压下稳定输出22A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II家族的杰出代表STW25NM50N，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET凭借其先进的MDmesh II技术，实现了超低的140毫欧导通电阻（Rds(on)），这意味着在相同的输出功率下，芯片自身的能耗将大幅降低，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停，还是开关电源中高速的PWM切换，其仅84nC的低栅极电荷（Qg）都能确保快速、干净的开关动作，显著减少开关损耗，让您的系统效率轻松突破瓶颈。其坚固的TO-247-3封装和高达160W的功率耗散能力，更是为长期稳定运行提供了坚实的物理保障。

当我们将视野投向实际应用，STW25NM50N的身影几乎无处不在。在服务器电源和通信电源中，它是构建高效PFC（功率因数校正）和DC-DC转换电路的核心开关元件，助力数据中心降低巨额电费。在新能源领域，从太阳能逆变器的DC-AC转换到电动汽车充电桩的功率模块，它都能游刃有余地处理高电压、大电流的功率流。对于工业自动化设备中的电机驱动器、UPS不同断电源乃至高端音频功放，其优异的线性区和开关特性都能带来更纯净的功率输出和更强劲的动态表现。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。

那么，在众多功率器件中，为何最终锁定STW25NM50N？答案在于它精准的性能平衡与强大的品牌背书。它并非一味追求单一参数的极致，而是在电压耐受（500V）、电流能力（22A）、导通损耗、开关速度以及热管理之间取得了最佳平衡点，这种平衡正是成熟、可靠电源设计的基石。尽管该型号已处于停产状态，但其经典的设计和久经考验的可靠性，使其在存量市场和高可靠性要求的后续项目中依然拥有不可替代的价值。通过值得信赖的ST芯片代理渠道，您依然可以获取到原装正品，为您的经典设计或备品备件提供持续支持。立即行动，让这颗来自意法半导体的功率之星，点亮您下一个高效、可靠的电源设计方案。

• 型号:STW25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。