STW26NM60

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在高压大电流的应用中，既保证系统的稳定运行，又能有效控制损耗与成本？答案或许就藏在一颗经过市场长期验证的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh家族的经典力作STW26NM60。这颗600V/30A的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和坚固耐用的品质，早已成为工业电源、电机驱动和不间断电源（UPS）等领域的可靠心脏。

想象一下，在您的服务器电源模块中，它需要持续稳定地处理高功率负载；在变频空调的驱动板上，它必须高效完成频繁的开关动作以精准控制压缩机；或者在电焊机这样严苛的工业环境中，它得承受瞬间的大电流冲击。STW26NM60正是为应对这些复杂场景而生。其MDmesh技术带来了极低的导通电阻（Rds(on)），在13A、10V条件下最大值仅为135毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率并简化了散热设计。高达313W的功率耗散能力，配合TO-247-3的坚固封装，确保了它在高负荷下依然游刃有余，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对各种极端环境。

选择STW26NM60，不仅仅是选择了一个高性能的电子元件，更是为您的产品注入了经久耐用的基因。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的行业应用验证以及稳定的库存供应，使其成为许多经典设计升级或长期维护项目的理想选择。它代表了意法半导体在高压MOSFET领域深厚的技术积淀。如果您正在寻找可靠且性能出色的功率解决方案，通过正规的ST一级代理渠道获取这颗芯片，将是保障供应链稳定与产品品质的明智之举。让STW26NM60的强大动力，驱动您的下一个创新项目走向成功。

• 型号:STW26NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26NM60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。