STW26NM60N

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与20A大电流的功率开关，其导通电阻低至165毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与可靠性的革命性飞跃。这就是STW26NM60N为您带来的核心价值它基于意法半导体引以为傲的MDmesh II技术，专为应对严苛的高压、高频应用而生，让能量转换过程前所未有的顺畅与高效。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STW26NM60N都能成为您系统的心脏，强劲而稳定地搏动。其卓越的快速开关特性与极低的栅极电荷（仅60nC），意味着在高频开关电源中，它能显著降低驱动损耗和开关噪声，让您的产品不仅效率更高，电磁兼容性(EMC)表现也更为出色。面对复杂的工业环境，其高达150°C的结温工作能力和TO-247-3封装提供的强大散热潜力，确保了系统即使在持续高负载下也能稳定运行，大幅提升了产品的耐用性和市场竞争力。

选择STW26NM60N，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、缩短开发周期的战略伙伴。其优化的参数平衡在低导通电阻与快速开关之间取得了完美权衡，让您无需在效率与速度之间再做艰难抉择。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STW26NM60N，让它成为您下一代高端电源和功率驱动设计的秘密武器，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STW26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。