STW26NM60ND

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压环境下稳定输出、同时保持低损耗的功率开关器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STW26NM60ND，这颗来自ST意法半导体FDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）的核心电路中，系统需要承受高达600V的电压冲击，同时持续输送高达21A的强劲电流。这正是STW26NM60ND大显身手的舞台。其先进的FDmesh II技术，通过优化单元结构和工艺，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），在10.5A电流、10V驱动电压下，最大值仅为175毫欧。这意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，更多的能量被高效地输送到负载端，直接转化为系统的整体效率提升和更低的运行温度。无论是驱动一台精密的工业设备，还是保障数据中心电力供应的毫秒不间断，它都能提供坚如磐石的性能支持。

选择STW26NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其TO-247封装不仅提供了出色的通孔安装可靠性，更能有效散热，配合高达190W（Tc）的功率耗散能力，确保器件在高达150°C的结温下依然稳定工作，极大地拓宽了您的设计余量和应用环境适应性。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案咨询，确保项目供应链的顺畅。这颗芯片以其600V的耐压、21A的载流能力以及优化的开关特性（如54.6nC的栅极电荷），为您带来的价值远不止于参数本身它意味着更小的散热器尺寸、更简化的电路设计、更长的产品寿命以及最终在市场上脱颖而出的能效表现。当您的设计需要扛起高压、高效、高可靠性的重任时，STW26NM60ND就是那个值得托付的核心力量。

• 型号:STW26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。