STW27NM60ND

当您的下一个电源或电机驱动项目需要面对严苛的工业环境时，您是否在寻找一颗既能扛住高压冲击，又能保持高效冷静的功率开关核心？答案或许就藏在STW27NM60ND这颗强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您系统可靠性与效率的坚实保障，源自意法半导体久经考验的FDmesh II技术平台，专为应对挑战而生。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效开关电源（SMPS）的核心位置，正是这颗芯片在默默承担着能量转换的重任。其高达600V的漏源电压和21A的连续电流能力，让它能够轻松驾驭主流三相电机驱动、功率因数校正（PFC）电路等应用场景，为您的设备提供强劲而稳定的动力心脏。即使在高温环境下，它卓越的热性能和TO-247封装也确保了能量的顺畅流动与耗散，让系统运行更持久、更可靠。

选择STW27NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的安心。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，这对于提升产品能效等级和延长使用寿命至关重要。同时，其符合汽车级AEC-Q101标准的品质基因，虽然产品状态显示为停产，但在许多对长期可靠性和性能一致性有极高要求的现有系统维护与特定设计中，它依然是经过时间淬炼的经典之选。如需获取这颗经典器件的库存或替代咨询，您可以信赖专业的ST授权代理，他们能为您提供精准的技术与供应链支持。让这颗凝聚了尖端工艺与可靠性的功率器件，成为您打造下一代高竞争力产品的秘密武器。

• 型号:STW27NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW27NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。