STW28N60DM2

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗与系统稳定性而权衡？STW28N60DM2的到来，正是为了终结这种妥协。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2技术家族的杰出代表，专为那些要求严苛、不容有失的高性能应用而生。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器的核心位置，一颗器件就能同时带来极低的导通损耗、卓越的开关性能和坚如磐石的耐用性，这正是STW28N60DM2为您呈现的价值画卷。

无论是面对繁忙数据中心里7x24小时不间断运行的服务器电源，还是工厂自动化产线上精准控制的电机驱动，亦或是户用储能系统中将太阳能高效转化为可用电能的逆变器，STW28N60DM2都能游刃有余。其600V的漏源电压和21A的连续电流能力，为系统提供了宽广的安全工作裕度。而核心的MDmesh DM2技术，通过优化的单元结构和垂直导电设计，实现了160毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），这意味着在电流通过时产生的热量更少，能效显著提升，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出，同时降低散热系统的复杂度和成本。

选择STW28N60DM2，就是选择了一份经得起时间考验的可靠性。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，提升了整体频率潜力，还简化了驱动电路的设计，让系统运行更高效、更安静。高达170W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对各种恶劣环境和突发浪涌的强悍体质。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，我们的ST一级代理伙伴网络随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。让STW28N60DM2成为您下一代高性能电源与驱动设计的信心之选，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。