STW28N65M2

当您在设计下一代高效能电源系统时，是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个能显著降低能耗、提升系统可靠性的核心元件，将如何改变您的产品竞争力。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STW28N65M2，这颗650V/20A的N沟道功率MOSFET，正是为破解这些挑战而生。

它不仅仅是一个参数表上的器件，更是您实现设计突破的得力助手。得益于先进的MDmesh M2技术，它在导通电阻和栅极电荷之间取得了卓越的平衡，这意味着更低的传导损耗和开关损耗。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，这颗芯片能够以极高的效率处理能量转换，让系统运行更凉爽、更安静，同时将更多的电能转化为有效输出，直接为您节省运营成本并延长设备寿命。

选择STW28N65M2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其高达170W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它无与伦比的坚固性和环境适应性，即使在严苛的工业环境下也能稳定工作。可靠的TO-247封装确保了出色的散热性能，让您的设计余量更加充裕。当您需要稳定、高性能的供货和技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商网络将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。让STW28N65M2成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STW28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。