STW30N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，系统温升居高不下时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与卓越热性能的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STW30N65M5，这颗来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破传统限制、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高电压大电流，同时还要将能量损耗和发热降至最低。STW30N65M5凭借其650V的高漏源电压和22A的连续漏极电流能力，为您提供了坚固可靠的第一道防线。而其核心魅力在于MDmesh V技术的加持，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着在导通状态下，电流流过时的能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的运行温度和更高的整体效率。更低的损耗不仅意味着更节能，也意味着您的散热设计可以更简化，系统可靠性得以显著提升。

为何众多工程师在关键项目中会选择它？因为选型就是一场关于平衡与信任的决策。您需要的不只是纸面参数，更是经过验证的性能和长期稳定性。STW30N65M5提供了这种确定性：优化的栅极电荷（Qg）确保了快速、干净的开关动作，减少了开关损耗，让高频高效运行成为可能；高达150°C的结温（TJ）和TO-247-3封装赋予了它出色的功率耗散能力（140W），从容应对各种热挑战。选择它，就是选择为您的产品注入一颗强劲而冷静的“心脏”。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅确保您能稳定获取这颗优质芯片，更能提供专业的技术支持和供应链保障，让您的创新之路无后顾之忧。立即体验STW30N65M5带来的变革，让您的设计脱颖而出，迈向更高能效的未来。

• 型号:STW30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。